信息年代的人工智能、物联网等多种新式使用都依赖于功用半导体器材和集成电路的展开。“后摩尔年代”的到来激发了多功用硅基集成器材的展开，其间，光电勘探器是一个重要组成部分。现在干流光电勘探器为硅基器材，难以完结宽光谱勘探，呼应率与勘探率不能够满意需求。使用二维资料二硫化钼(MoS，HZO）等新式资料构建的半导体硅工艺兼容的光电勘探器材具有极大使用潜力，但现在面临着器材制备工艺、结构优化和暗电流较高级应战，因而其作业物理机制要进一步研讨，勘探率和呼应度等要害参数要进一步进步。
近来，西安交通大学电信学部电子学院任巍教授、牛刚教授团队使用根据二硫化钼沟道和外延铁电HZO薄膜栅介质的光电晶体管完结了高呼应度光电勘探。本作业是在精细微纳制作技能全国要点试验室和电子陶瓷与器材教育部要点试验室支持下完结的。该作业使用优化的具有背栅结构和肖特基对650 nm波长光电呼应进行了试验验证并完结杰出的光电勘探功用。将半导体硅工艺兼容性好、铁电畴取向一致性高的外延铪基铁电薄膜使用于此类器材，有助于进步器材功用并研讨相关重要物理现象，包含双极电学行为和负光电导性。
在对二硫化钼资料特性，以及器材电特性和光电特性的研讨基础上，研讨团队阐明晰二硫化钼光电勘探器铁电调控功用的原因，包含：光门控效应和铁电极化场对沟道载流子的调控。试验中还调查到了具有-8.44×103A W-1高呼应度的负光电导，这关于极弱光勘探具有极端重大意义。
西安交通大学电信学部电子学院任巍教授、牛刚教授课题组长时间从过后摩尔集成电路功用薄膜与器材的研讨。近年来在“后摩尔”介电、压（铁）电功用薄膜与集成器材方面获得了系列效果，研讨论文现已发表于Nature Commun.、Adv. Funct. Mater.、ACS Nano、InfoMat、IEEE Electron. Dev. Lett.和Sensor Actuat. B等期刊上。
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